内存超频步骤，X399，双面内存条 <更新 v0.99>

本文对体质差的双面颗粒内存条，X399主板，一二代锐龙有一定参考意义。

（夏天一到，3466 就没法维持了，仅供参考。）

经过这么久，自己总算超频到 3466了，拍手祝贺，ヽ(ﾟ∀ﾟ)ﾒ(ﾟ∀ﾟ)ﾉ 

下面写超频的详细过程。

A0. 搞清体质。自购的内存是 四条 Gskill [Trident Z RGB] F4-3200C16S-16GTZR，比套条 B-DIE颗粒的 F4-3200C14Q-32GTZRX 差太多，但 四条 3200频率都稳定了，3466频率 还是应该能上的，要很高电压

A1. 利用计算器计算时序，这里就只用主时序了，对双面条来说改小参很影响稳定性，不改了

BIOS 主时序里面填入 16-18-19-19-38-60，内存电压 1.45V 

注意第 2个时序 18，是 tRCDWR， write，WR，别搞错了啊

soc 电压选的是 debug电压，1.11250V

  当 SOC电压 手动设定成 1.11875V，拷机的时候电压一直是 1.155V，已经是处于不稳定状态了，当然 TestMem5 是没法看出来，用 prime95 拷内存会报错。 所以只能是 手动设定成【上一档】1.1125V，已经是很细微的电压了。

Command rate 1T， GDM，双面条基本上除了 3200及以下的频率，只开 1T是很难过测的

proODT 填 60Ω，之前一直用 60Ω，反复测，只有 60Ω能开机

RTT_NOM，RTT_WR，RTT_PAPK ，这 3个参数也是 ZE主板/内存适用的，不是通用的，需要自己测试

CAD_BUS Block Ω，这 3个参数选的是 24 24 24 24

A2. CLDO VDDP 选的是 900，有时候选 855 也能稳定，选 Auto可能造成每次开机后电压不一样；最终选了 895

 【参考文，https://www.chiphell.com/thread-2018722-1-1.html 】

CAD_BUS Timings 3项，要想更稳定只能选 0 0 0 了，没别的方法

PUM Training 默认是自动，最终选择如下，增加很多开机时间，增强稳定性 :

DFE Read Training [Enable]

FFE Write Training [Enable]

PMU Pattern Bits Control [Manual]

PMU Pattern Bits [A]

VTT DDR 电压，检错电压 Auto。搞不清楚内存检错设置，直接 Auto

Vref，DRAM CTRL REF Voltage， Auto。理由同上

VPP 电压，设置 2.62 V。可选择 2.525V ~ 2.7V，直接增强内存体质

PLL 电压，1.83V

B1. 一顿操作之后以为会稳定，但 MemTest 拷机100%报错 3个，内存电压没搞定

B2. 参考文，https://www.chiphell.com/thread-2018722-1-1.html 

通过观察 HWiNFO，拷机的时候 内存电压有 2个数字 1.46V，1.48V，

分别把 AB通道、CD通道设置电压 1.46V、1.465V，MemTest 200%通过，

此时 我以为是超频成功了。

B3. 睡一觉，第二天早上了，用 P95 第 3项拷机测试，却 10分钟就报错、停止拷机了

思考一下，想到可能 CPU 的 IMC 并不吃什么 1.465V 这种电压，

直接把 AB通道、CD通道设置电压 1.47V、1.47V，

终于P95、MemTest  两个工具都通过测试了

B4. 所以现在我更推荐先用 P95 第 3项拷机 40分钟 ~ 60分钟拷机测试，

然后再用 MemTest 200% 拷机测试

就是改 3200 用了，没法，16-18-18-18-38-56

内存电压选 1.44V，其他没多少变化

虽然选择 1.36V 也是百分百能拷机过测，

但观察发现选 1.36V 电压时，程序启动比较慢，系统并没有维持在高性能。